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새로운 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 PNP 트랜지스터 IC NTR4502PT1G NTR4502

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새로운 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 PNP 트랜지스터 IC NTR4502PT1G NTR4502
새로운 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 PNP 트랜지스터 IC NTR4502PT1G NTR4502
새로운 MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3 PNP 트랜지스터 IC NTR4502PT1G NTR4502

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
NTR4502PT1G
유형
기타, 펜토드 트랜지스터
유명 상표
china
포장 유형
표면 마운트

기타 속성

원래 장소
China
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
D/ C
최신
공급 유형
기타
미디어 가능
기타
品名
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
/
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
/
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
/
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
/
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
/
전원 최대
/
주파수-전환
/
작동 온도
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
마운트 유형
표면 마운트
저항 (R1)
/
저항 이미터 (R2)
/
FET 유형
P-채널
드레인 근원 전압 (Vdss)
30V
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
1.13A (Ta)
Rds (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id
3V @ 250A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
200pF @ 15V
주파수
/
현재 등급 (암페어)
/
잡음
/
전원 출력
/
전압-정격
/
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (최대)
± 20V
IGBT 유형
/
Vce () (최대) @ Vge, Ic
/
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
/
입력
/
NTC 서미스터
/
전압 고장 (V (BR) GSS)
/
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
현재 하수구 (Id)-Max
/
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
/
저항 RDS (On)
/
전압
/
전압-출력
/
전압 오프셋 (Vt)
/
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
/
전류 밸리 (Iv)
/
전류-피크
/
응용프로그램
/

리드 타임

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