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hyst bom list service ic chip mosfet AUIRG4PH50S IGBT PT 1200V

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Shenzhen HYST Technology Co., Ltd. 복합 전문 공급업체 16 yrs CN
hyst bom list service ic chip mosfet AUIRG4PH50S IGBT PT 1200V
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주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
AUIRG4PH50S
유형
IGBT 트랜지스터
유명 상표
Original manufacturer, The market price of some parts is unstable
포장 유형
Through Hole

기타 속성

장착 유형
Through Hole
설명
transistors igbts single
원래 장소
Taiwan, China
패키지/케이스
TO-247-3
유형
IGBT Transistor
작용 온도
-55C ~ 150C (TJ)
시리즈
-
D/ C
New Date code
신청
-
공급 유형
N-Channel
상호 참조
-
미디어 가능
데이터 시트, 사진
品名
transistors igbts single
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
141 A
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
1200V
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-standard
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
99 A
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-standard
전원 최대
543 W
주파수-전환
-standard
작동 온도
-55C ~ 150C (TJ)
마운트 유형
구멍
저항 (R1)
-standard
저항 이미터 (R2)
-standard
FET 유형
-standard
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
-standard
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-standard
Rds (Max) @ Id, Vgs
-standard
Vgs (th) (최대) @ Id
-standard
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-standard
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-standard
주파수
-standard
현재 등급 (암페어)
-standard
잡음
-standard
전원 출력
-standard
전압-정격
-standard
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-standard
Vgs (최대)
-standard
IGBT 유형
-
구성
standard
Vce () (최대) @ Vge, Ic
1.7V,15V, 33A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-standard
입력
-standard
NTC 서미스터
-standard
전압 고장 (V (BR) GSS)
-standard
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-standard
현재 하수구 (Id)-Max
-standard
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-standard
저항 RDS (On)
-standard
전압
standard
전압-출력
standard
전압 오프셋 (Vt)
standard
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
standard
전류 밸리 (Iv)
standard
전류-피크
standard
응용프로그램
-
트랜지스터 유형
--
Service
One Stop Bom Service
Supplier
Electronic Components
Shipping by
DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\SFor Other
Condition
Original manufacturer
Lead Free Status
RoHS Compliant
Location
Shenzhen
Payment
Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
MOQ
1 Pcs
Warranty
90 day

포장 및 배송

판매 단위:
단일 품목
단일 패키지 크기:
XX cm
단일 총 중량:
kg

리드 타임

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1 - 99 개
₩14,664
>= 100 개
₩11,726

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