새로운 오리지널 삼각 모스겟 반기동 20N50C3 SPP20N50C3 to-220 500V 20A

Name: 새로운 오리지널 삼각 모스겟 반기동 20N50C3 SPP20N50C3 to-220 500V 20A
Brand: Shenzhen Nengliang Technology Co., Ltd.
SKU: 1601237815168
Price: 1.8 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Nengliang Technology Co., Ltd. 1 yr

새로운 오리지널 삼각 모스겟 반기동 20N50C3 SPP20N50C3 to-220 500V 20A

고출력 처리: 이 새로운 원래 변형 MOSFET SEMICONDUCTOR BOM 20N50C3 는 최대 전력 정격 500V 및 20A 의 고전력 애플리케이션을 처리하도록 설계되어 까다로운 전자 회로에 적합합니다.
넓은 작동 온도 범위: 제품은 원래 온도 범위 내에서 작동하여 고온 응용 프로그램을 포함한 다양한 환경에서 신뢰할 수있는 성능을 보장합니다.
실리콘 카바이드 (SiC) 기능: fet 기능에서 실리콘 카바이드 (SiC) 를 사용하면 제품의 성능, 효율성 및 신뢰성이 향상됩니다. 고출력 전자 시스템에 이상적인 선택입니다.
스루 홀 장착 유형: 이 제품은 스루 홀 장착 유형을 특징으로하여 기존 설계에 쉽게 통합 할 수 있으며 회로 기판에 안전한 연결을 제공합니다.
원래 제조업체 보증: 원래 제조업체 제품으로서 20N50C3 는 고객이 정품 및 신뢰할 수있는 제품을받을 수 있도록 진정성과 품질을 보증합니다.

간략히 보기

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

20N50C3

유형

MOSFET

유명 상표

Original

포장 유형

생각 구멍

기타 속성

장착 유형

원본

설명

20N50C3

원래 장소

Taiwan, China

패키지/케이스

TO-220

D/ C

2024

신청

MOSFET 드라이버

공급 유형

원래 제조업체

미디어 가능

데이터 시트

品名

원본

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

원본

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

원본

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

원본

전원 최대

원본

주파수-전환

원본

작동 온도

원본

마운트 유형

구멍

저항 (R1)

원본

저항 이미터 (R2)

원본

FET 특징

실리콘 카바이드 (SiC)

드레인 근원 전압 (Vdss)

원본

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

원본

Rds (Max) @ Id, Vgs

원본

Vgs (th) (최대) @ Id

원본

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

원본

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

원본

주파수

원본

현재 등급 (암페어)

원본

잡음

원본

전원 출력

원본

전압-정격

원본

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

원본

Vgs (최대)

원본

IGBT 유형

원본

포장 및 배송

판매 단위:

단일 품목

단일 패키지 크기:

15X10X5 cm

단일 총 중량:

0.050 kg

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