COPOER 새로운 원본 RSR020P05 ZH RSR020P05TL RSR 020P05 IC 칩 MOSFET P-CH 45V 2A MOS 540mW TSMT3 전자 부품

Name: COPOER 새로운 원본 RSR020P05 ZH RSR020P05TL RSR 020P05 IC 칩 MOSFET P-CH 45V 2A MOS 540mW TSMT3 전자 부품
Brand: Ansoyo Electronic Limited
SKU: 1600186787152
Price: 0.09 USD
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Ansoyo Electronic Limited 5 yrs

COPOER 새로운 원본 RSR020P05 ZH RSR020P05TL RSR 020P05 IC 칩 MOSFET P-CH 45V 2A MOS 540mW TSMT3 전자 부품

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

RSR020P05TL

유형

전원 MOSFET

유명 상표

COPOER

포장 유형

생각 구멍

기타 속성

원래 장소

Guangdong, China

패키지/케이스

SC-96

D/ C

새로운

신청

MOSFET 드라이버

공급 유형

원래 제조업체, ODM, 기관, 소매점

미디어 가능

데이터 시트

品名

MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

작동 온도

150 °C (TJ)

마운트 유형

표면 마운트

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

P-채널

FET 특징

드레인 근원 전압 (Vdss)

45V

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

2A (Ta)

Rds (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 10V

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

4V, 10V

Vgs (최대)

± 20V

IGBT 유형

구성

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

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