BZT52C3V0 MM1Z3V0 제너 다이오드 0.35W 3.0V SOD-123 1206 STNXP 및 MJW 주요 제품 제너 다이오드/MOS/다이오드/트랜지스터/ESD

Name: BZT52C3V0 MM1Z3V0 제너 다이오드 0.35W 3.0V SOD-123 1206 STNXP 및 MJW 주요 제품 제너 다이오드/MOS/다이오드/트랜지스터/ESD
Brand: Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd.
SKU: 1600972513235
Price: 0.01 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd. 3 yrs

BZT52C3V0 MM1Z3V0 제너 다이오드 0.35W 3.0V SOD-123 1206 STNXP 및 MJW 주요 제품 제너 다이오드/MOS/다이오드/트랜지스터/ESD

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호

BZT52C3V0

유형

Switching diode

유명 상표

XSW

포장 유형

표면 마운트

기타 속성

장착 유형

설명

BZT52C3V0 MM1Z3V0 Zener diode

원래 장소

Guangdong, China

패키지/케이스

시리즈

Switching diode

신청

electric appliance Circuit board

공급 유형

원래 제조업체

미디어 가능

Other

品名

전류 콜렉터 (Ic) (최대)

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic

전류 콜렉터 컷오프 (최대)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce

전원 최대

주파수-전환

작동 온도

마운트 유형

저항 (R1)

저항 이미터 (R2)

FET 유형

FET 특징

드레인 근원 전압 (Vdss)

현재-드레인 (Id) @ 25 °C

Rds (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (최대) @ Id

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

주파수

현재 등급 (암페어)

잡음

전원 출력

전압-정격

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)

Vgs (최대)

IGBT 유형

Vce () (최대) @ Vge, Ic

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

입력

NTC 서미스터

전압 고장 (V (BR) GSS)

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

현재 하수구 (Id)-Max

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id

저항 RDS (On)

전압

전압-출력

전압 오프셋 (Vt)

전류 게이트 양극 누설 (Igao)

전류 밸리 (Iv)

전류-피크

응용프로그램

Product Name

BZT52C3V0

Quality

High-quality

포장 및 배송

판매 단위:

단일 품목

단일 패키지 크기:

4X3X1 cm

단일 총 중량:

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