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9A 200V IRFP630 NPN 파워 MOSFET 구멍 TO220 트랜지스터 (IRFS630 IRFS630B IRFS630N)

(1 리뷰) 4 판매
9A 200V IRFP630 NPN 파워 MOSFET 구멍 TO220 트랜지스터 (IRFS630 IRFS630B IRFS630N)
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9A 200V IRFP630 NPN 파워 MOSFET 구멍 TO220 트랜지스터 (IRFS630 IRFS630B IRFS630N)

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
Null
유형
MOSFET
포장 유형
생각 구멍

기타 속성

설명
원래 장소
Jiangsu, China
패키지/케이스
작용 온도
시리즈
D/ C
신청
앰프
공급 유형
소매점, ODM, 원래 제조업체, 기관
상호 참조
미디어 가능
사진, EDA CAD 모델, 데이터 시트
전류 콜렉터 (Ic) (최대)
전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
전류 콜렉터 컷오프 (최대)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
전원 최대
주파수-전환
마운트 유형
구멍을 통해
저항 (R1)
저항 이미터 (R2)
FET 유형
FET 특징
표준
드레인 근원 전압 (Vdss)
현재-드레인 (Id) @ 25 °C
Rds (Max) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
주파수
현재 등급 (암페어)
잡음
전원 출력
전압-정격
드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
Vgs (최대)
IGBT 유형
구성
세 레벨 인버터 IGBT, FET
Vce () (최대) @ Vge, Ic
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
입력
NTC 서미스터
전압 고장 (V (BR) GSS)
전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
현재 하수구 (Id)-Max
전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
저항 RDS (On)
전압-출력
전압 오프셋 (Vt)
전류 게이트 양극 누설 (Igao)
전류 밸리 (Iv)
전류-피크
트랜지스터 유형
모스펫
유형
현장 효과 트랜지스터
제품 이름
IIRF630 irf 트랜지스터
신청:
표준
채널
N-채널
사용법
전자 부품
조건:
새로운 & 미사용, 원래 봉인
품질 보증:
365 일
패키지
TO220
브랜드
야렌
원산지:
장쑤, 중국 (본토)

포장 및 배송

판매 단위:
여러 1000
배치당 패키지 크기:
52X15X15 cm
배치당 총 중량:
10.200 kg

리드 타임

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Maximum order quantity: 1 개
샘플 가격:
₩2,944/개

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1 batch = 1000 개
2000 - 9999 개
₩707
>= 10000 개
₩589

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